FDI045N10A-F102 - MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK-3
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fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK-3
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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quantità disponibile
101210 Pieces
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Specifiche per FDI045N10A-F102
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : FDI045N10A-F102
fabbricante : ON Semiconductor
Descrizione : MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK-3
Serie : PowerTrench®
Stato parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 120A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.5 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 74nC @ 10V
Vgs (massimo) : ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 5270pF @ 50V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 263W (Tc)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio : Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore : I2PAK (TO-262)
Pacchetto / caso : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Documenti per FDI045N10A-F102
Schede tecniche : FDI045N10A-F102.pdf
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