MURTA20060R - DIODE GEN PURP 600V 100A 3 TOWER
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-MURTA20060R
fabbricante
Breve descrizione
DIODE GEN PURP 600V 100A 3 TOWER
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
7144 Pieces
Prezzo di riferimento
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Specifiche per MURTA20060R
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
MURTA20060R
fabbricante :
GeneSiC Semiconductor
Descrizione :
DIODE GEN PURP 600V 100A 3 TOWER
Serie :
-
Stato parte :
Active
Configurazione diodi :
1 Pair Common Anode
Diodo :
Standard
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) :
600V
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) :
100A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If :
1.7V @ 100A
Velocità :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr) :
-
Corrente - Perdita inversa @ Vr :
25µA @ 600V
Temperatura operativa - Giunzione :
-55°C ~ 150°C
Tipo di montaggio :
Chassis Mount
Pacchetto / caso :
Three Tower
Pacchetto dispositivo fornitore :
Three Tower
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per MURTA20060R
Schede tecniche :
MURTA20060R.pdf
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