VS-GB100TH120N - IGBT 1200V 200A 833W INT-A-PAK

codice articolo del costruttore
Numero parte interna
Breve descrizione
IGBT 1200V 200A 833W INT-A-PAK
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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Specifiche per VS-GB100TH120N

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : VS-GB100TH120N
fabbricante : Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrizione : IGBT 1200V 200A 833W INT-A-PAK
Serie : -
Stato parte : Active
Tipo IGBT : -
Configurazione : Half Bridge
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) : 1200V
Corrente - Collector (Ic) (Max) : 200A
Potenza - Max : 833W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic : 2.35V @ 15V, 100A
Corrente - Limite del collettore (max) : 5mA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce : 8.58nF @ 25V
Ingresso : Standard
Termistore NTC : No
temperatura di esercizio : 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Chassis Mount
Pacchetto / caso : Double INT-A-PAK (3 + 4)
Pacchetto dispositivo fornitore : Double INT-A-PAK
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Link correlati : VS-G , VS-GB10

Documenti per VS-GB100TH120N

Schede tecniche : VS-GB100TH120N.pdf

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