IPN70R1K4P7SATMA1 - MOSFET N-CHANNEL 700V 4A SOT223
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CHANNEL 700V 4A SOT223
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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1-2 giorni
quantità disponibile
1880800 Pieces
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Specifiche per IPN70R1K4P7SATMA1
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
IPN70R1K4P7SATMA1
fabbricante :
Infineon Technologies
Descrizione :
MOSFET N-CHANNEL 700V 4A SOT223
Serie :
CoolMOS™ P7
Stato parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
700V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
4A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.4 Ohm @ 700mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 40µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
4.7nC @ 10V
Vgs (massimo) :
±16V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
158pF @ 400V
Caratteristica FET :
-
Dissipazione di potenza (max) :
6.2W (Tc)
temperatura di esercizio :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore :
PG-SOT223
Pacchetto / caso :
TO-261-3
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per IPN70R1K4P7SATMA1
Schede tecniche :
IPN70R1K4P7SATMA1.pdf
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