SIB911DK-T1-GE3 - MOSFET 2P-CH 20V 2.6A SC75-6
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fabbricante
Breve descrizione
MOSFET 2P-CH 20V 2.6A SC75-6
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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Specifiche per SIB911DK-T1-GE3
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : SIB911DK-T1-GE3
fabbricante : Vishay Siliconix
Descrizione : MOSFET 2P-CH 20V 2.6A SC75-6
Serie : TrenchFET®
Stato parte : Obsolete
Tipo FET : 2 P-Channel (Dual)
Caratteristica FET : Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) : 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 2.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 295 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 4nC @ 8V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 115pF @ 10V
Potenza - Max : 3.1W
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto / caso : PowerPAK® SC-75-6L Dual
Pacchetto dispositivo fornitore : PowerPAK® SC-75-6L Dual
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Documenti per SIB911DK-T1-GE3
Schede tecniche : SIB911DK-T1-GE3.pdf
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