IRF6662TR1PBF - MOSFET N-CH 100V 8.3A DIRECTFET
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MOSFET N-CH 100V 8.3A DIRECTFET
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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Specifiche per IRF6662TR1PBF
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
IRF6662TR1PBF
fabbricante :
Infineon Technologies
Descrizione :
MOSFET N-CH 100V 8.3A DIRECTFET
Serie :
HEXFET®
Stato parte :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
8.3A (Ta), 47A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
22 mOhm @ 8.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.9V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
31nC @ 10V
Vgs (massimo) :
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
1360pF @ 25V
Caratteristica FET :
-
Dissipazione di potenza (max) :
2.8W (Ta), 89W (Tc)
temperatura di esercizio :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore :
DIRECTFET™ MZ
Pacchetto / caso :
DirectFET™ Isometric MZ
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per IRF6662TR1PBF
Schede tecniche :
IRF6662TR1PBF.pdf
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