IS43DR86400E-3DBLI - IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA
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fabbricante
Breve descrizione
IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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1-2 giorni
quantità disponibile
72915 Pieces
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Specifiche per IS43DR86400E-3DBLI
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : IS43DR86400E-3DBLI
fabbricante : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Descrizione : IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA
Serie : -
Stato parte : Active
Tipo di memoria : Volatile
Formato di memoria : DRAM
Tecnologia : SDRAM - DDR2
Dimensione della memoria : 512Mb (64M x 8)
Frequenza di clock : 333MHz
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina : 15ns
Tempo di accesso : 450ns
Interfaccia di memoria : Parallel
Tensione - Fornitura : 1.7V ~ 1.9V
temperatura di esercizio : -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto / caso : 60-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore : 60-TWBGA (8x10.5)
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Documenti per IS43DR86400E-3DBLI
Schede tecniche : IS43DR86400E-3DBLI.pdf
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