FCPF380N65FL1 - MOSFET N-CH 650V 10.2A TO220

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fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 650V 10.2A TO220
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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Specifiche per FCPF380N65FL1

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : FCPF380N65FL1
fabbricante : ON Semiconductor
Descrizione : MOSFET N-CH 650V 10.2A TO220
Serie : FRFET®, SuperFET® II
Stato parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 10.2A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 380 mOhm @ 5.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 43nC @ 10V
Vgs (massimo) : ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1680pF @ 100V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 33W (Tc)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore : TO-220F
Pacchetto / caso : TO-220-3 Full Pack
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
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Documenti per FCPF380N65FL1

Schede tecniche : FCPF380N65FL1.pdf

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