STL26NM60N - MOSFET N-CH 600V 19A POWERFLAT

codice articolo del costruttore

STL26NM60N

Numero parte interna

AX-STL26NM60N

fabbricante

STMicroelectronics

Breve descrizione

MOSFET N-CH 600V 19A POWERFLAT

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

146615 Pieces

Prezzo di riferimento

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Specifiche per STL26NM60N

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : STL26NM60N

fabbricante : STMicroelectronics

Descrizione : MOSFET N-CH 600V 19A POWERFLAT

Serie : MDmesh™ II

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 2.7A (Ta), 19A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 185 mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 60nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1800pF @ 50V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 125mW (Ta), 3W (Tc)

temperatura di esercizio : 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : PowerFlat™ (8x8) HV

Pacchetto / caso : 8-PowerVDFN

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : STL , STL26

Documenti per STL26NM60N

Schede tecniche : STL26NM60N.pdf

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