RJK6018DPM-00#T1 - MOSFET N-CH 600V 30A TO3PFM
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 600V 30A TO3PFM
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
17456 Pieces
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Specifiche per RJK6018DPM-00#T1
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
RJK6018DPM-00#T1
fabbricante :
Renesas Electronics America
Descrizione :
MOSFET N-CH 600V 30A TO3PFM
Serie :
-
Stato parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
30A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
235 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
92nC @ 10V
Vgs (massimo) :
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
4100pF @ 25V
Caratteristica FET :
-
Dissipazione di potenza (max) :
60W (Tc)
temperatura di esercizio :
150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore :
TO-3PFM
Pacchetto / caso :
TO-3PFM, SC-93-3
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per RJK6018DPM-00#T1
Schede tecniche :
RJK6018DPM-00#T1.pdf
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