TK10A60W,S4X - MOSFET N CH 600V 9.7A TO-220

codice articolo del costruttore
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Breve descrizione
MOSFET N CH 600V 9.7A TO-220
Stato RoHS
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Specifiche per TK10A60W,S4X

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : TK10A60W,S4X
fabbricante : Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione : MOSFET N CH 600V 9.7A TO-220
Serie : DTMOSIV
Stato parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 9.7A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 380 mOhm @ 4.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.7V @ 500µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 20nC @ 10V
Vgs (massimo) : ±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 720pF @ 300V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 30W (Tc)
temperatura di esercizio : -
Tipo di montaggio : Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore : TO-220
Pacchetto / caso : TO-220-3 Full Pack
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Link correlati : TK10 , TK10A6

Documenti per TK10A60W,S4X

Schede tecniche : TK10A60W,S4X.pdf

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