RJK2006DPE-00#J3 - MOSFET N-CH 200V 40A LDPAK

codice articolo del costruttore

RJK2006DPE-00#J3

Numero parte interna

AX-RJK2006DPE-00#J3

fabbricante

Renesas Electronics America

Breve descrizione

MOSFET N-CH 200V 40A LDPAK

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

17536 Pieces

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Specifiche per RJK2006DPE-00#J3

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : RJK2006DPE-00#J3

fabbricante : Renesas Electronics America

Descrizione : MOSFET N-CH 200V 40A LDPAK

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 200V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 40A (Ta)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 59 mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : -

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 43nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1800pF @ 25V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 100W (Tc)

temperatura di esercizio : 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : 4-LDPAK

Pacchetto / caso : SC-83

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : RJK20 , RJK2006D

Documenti per RJK2006DPE-00#J3

Schede tecniche : RJK2006DPE-00#J3.pdf

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