ALD210808ASCL - MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16SOIC

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MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16SOIC
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Specifiche per ALD210808ASCL

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : ALD210808ASCL
fabbricante : Advanced Linear Devices Inc.
Descrizione : MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16SOIC
Serie : EPAD®, Zero Threshold™
Stato parte : Active
Tipo FET : 4 N-Channel, Matched Pair
Caratteristica FET : Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) : 10.6V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 80mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs : -
Vgs (th) (Max) @ Id : 20mV @ 10µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : -
Potenza - Max : 500mW
temperatura di esercizio : 0°C ~ 70°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto / caso : 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore : 16-SOIC
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
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Documenti per ALD210808ASCL

Schede tecniche : ALD210808ASCL.pdf

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