NTD3055L170T4G - MOSFET N-CH 60V 9A DPAK

codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 60V 9A DPAK
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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Specifiche per NTD3055L170T4G

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : NTD3055L170T4G
fabbricante : ON Semiconductor
Descrizione : MOSFET N-CH 60V 9A DPAK
Serie : -
Stato parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 9A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 170 mOhm @ 4.5A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 10nC @ 5V
Vgs (massimo) : ±15V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 275pF @ 25V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 1.5W (Ta), 28.5W (Tj)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : DPAK
Pacchetto / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Link correlati : NTD3 , NTD3055

Documenti per NTD3055L170T4G

Schede tecniche : NTD3055L170T4G.pdf

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