PSMN102-200Y,115 - MOSFET N-CH 200V 21.5A LFPAK
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fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 200V 21.5A LFPAK
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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1-2 giorni
quantità disponibile
727210 Pieces
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Specifiche per PSMN102-200Y,115
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
PSMN102-200Y,115
fabbricante :
Nexperia USA Inc.
Descrizione :
MOSFET N-CH 200V 21.5A LFPAK
Serie :
TrenchMOS™
Stato parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
21.5A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
102 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
30.7nC @ 10V
Vgs (massimo) :
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
1568pF @ 30V
Caratteristica FET :
-
Dissipazione di potenza (max) :
113W (Tc)
temperatura di esercizio :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore :
LFPAK56, Power-SO8
Pacchetto / caso :
SC-100, SOT-669
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per PSMN102-200Y,115
Schede tecniche :
PSMN102-200Y,115.pdf
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