BSP170PE6327T - MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223

codice articolo del costruttore

BSP170PE6327T

Numero parte interna

AX-BSP170PE6327T

fabbricante

Infineon Technologies

Breve descrizione

MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

8942 Pieces

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Specifiche per BSP170PE6327T

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : BSP170PE6327T

fabbricante : Infineon Technologies

Descrizione : MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223

Serie : SIPMOS®

Stato parte : Discontinued at Digi-Key

Tipo FET : P-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 1.9A (Ta)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 300 mOhm @ 1.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 14nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 410pF @ 25V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 1.8W (Ta)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : PG-SOT223-4

Pacchetto / caso : TO-261-4, TO-261AA

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : BSP1 , BSP170

Documenti per BSP170PE6327T

Schede tecniche : BSP170PE6327T.pdf

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