SI1470DH-T1-E3 - MOSFET N-CH 30V 5.1A SC70-6

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MOSFET N-CH 30V 5.1A SC70-6
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Specifiche per SI1470DH-T1-E3

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : SI1470DH-T1-E3
fabbricante : Vishay Siliconix
Descrizione : MOSFET N-CH 30V 5.1A SC70-6
Serie : TrenchFET®
Stato parte : Obsolete
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 5.1A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 66 mOhm @ 3.8A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.6V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 7.5nC @ 5V
Vgs (massimo) : ±12V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 510pF @ 15V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 1.5W (Ta), 2.8W (Tc)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : SC-70-6 (SOT-363)
Pacchetto / caso : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Link correlati : SI14 , SI1470D

Documenti per SI1470DH-T1-E3

Schede tecniche : SI1470DH-T1-E3.pdf

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