TK12Q60W,S1VQ - MOSFET N CH 600V 11.5A IPAK

codice articolo del costruttore

TK12Q60W,S1VQ

Numero parte interna

AX-TK12Q60W,S1VQ

fabbricante

Toshiba Semiconductor and Storage

Breve descrizione

MOSFET N CH 600V 11.5A IPAK

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

16840 Pieces

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Specifiche per TK12Q60W,S1VQ

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : TK12Q60W,S1VQ

fabbricante : Toshiba Semiconductor and Storage

Descrizione : MOSFET N CH 600V 11.5A IPAK

Serie : DTMOSIV

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 11.5A (Ta)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 340 mOhm @ 5.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.7V @ 600µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 25nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 890pF @ 300V

Caratteristica FET : Super Junction

Dissipazione di potenza (max) : 100W (Tc)

temperatura di esercizio : 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore : I-PAK

Pacchetto / caso : TO-251-3 Stub Leads, IPak

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : TK12 , TK12Q6

Documenti per TK12Q60W,S1VQ

Schede tecniche : TK12Q60W,S1VQ.pdf

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