IRF7910TRPBF - MOSFET 2N-CH 12V 10A 8SOIC
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-IRF7910TRPBF
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET 2N-CH 12V 10A 8SOIC
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
697525 Pieces
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Specifiche per IRF7910TRPBF
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : IRF7910TRPBF
fabbricante : Infineon Technologies
Descrizione : MOSFET 2N-CH 12V 10A 8SOIC
Serie : HEXFET®
Stato parte : Active
Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET : Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) : 12V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 10A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 15 mOhm @ 8A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 26nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1730pF @ 6V
Potenza - Max : 2W
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto / caso : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore : 8-SO
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Documenti per IRF7910TRPBF
Schede tecniche : IRF7910TRPBF.pdf
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