FDFMA2P853T - MOSFET P-CH 20V 3A 6-MICROFET
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-FDFMA2P853T
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET P-CH 20V 3A 6-MICROFET
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
16832 Pieces
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Specifiche per FDFMA2P853T
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
FDFMA2P853T
fabbricante :
ON Semiconductor
Descrizione :
MOSFET P-CH 20V 3A 6-MICROFET
Serie :
PowerTrench®
Stato parte :
Obsolete
Tipo FET :
P-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
3A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
120 mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
6nC @ 4.5V
Vgs (massimo) :
±8V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
435pF @ 10V
Caratteristica FET :
Schottky Diode (Isolated)
Dissipazione di potenza (max) :
1.4W (Ta)
temperatura di esercizio :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore :
MicroFET 2x2 Thin
Pacchetto / caso :
6-UDFN Exposed Pad
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per FDFMA2P853T
Schede tecniche :
FDFMA2P853T.pdf
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