IPD65R1K4CFDBTMA1 - MOSFET N-CH 650V 2.8A TO-252

codice articolo del costruttore

IPD65R1K4CFDBTMA1

Numero parte interna

AX-IPD65R1K4CFDBTMA1

fabbricante

Infineon Technologies

Breve descrizione

MOSFET N-CH 650V 2.8A TO-252

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

915615 Pieces

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Specifiche per IPD65R1K4CFDBTMA1

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : IPD65R1K4CFDBTMA1

fabbricante : Infineon Technologies

Descrizione : MOSFET N-CH 650V 2.8A TO-252

Serie : CoolMOS™

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 650V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 2.8A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.4 Ohm @ 1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 10nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 262pF @ 100V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 28.4W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : PG-TO252-3

Pacchetto / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : IPD65 , IPD65R1K

Documenti per IPD65R1K4CFDBTMA1

Schede tecniche : IPD65R1K4CFDBTMA1.pdf

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