SIA429DJT-T1-GE3 - MOSFET P-CH 20V 12A SC-70

codice articolo del costruttore

SIA429DJT-T1-GE3

Numero parte interna

AX-SIA429DJT-T1-GE3

fabbricante

Vishay Siliconix

Breve descrizione

MOSFET P-CH 20V 12A SC-70

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

1918935 Pieces

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Specifiche per SIA429DJT-T1-GE3

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : SIA429DJT-T1-GE3

fabbricante : Vishay Siliconix

Descrizione : MOSFET P-CH 20V 12A SC-70

Serie : TrenchFET®

Stato parte : Active

Tipo FET : P-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 12A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 1.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 20.5 mOhm @ 6A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 62nC @ 8V

Vgs (massimo) : ±8V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1750pF @ 10V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 3.5W (Ta), 19W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : PowerPAK® SC-70-6 Single

Pacchetto / caso : PowerPAK® SC-70-6

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : SIA42 , SIA429DJ

Documenti per SIA429DJT-T1-GE3

Schede tecniche : SIA429DJT-T1-GE3.pdf

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