SI8810EDB-T2-E1 - MOSFET N-CH 20V 2.1A MICROFOOT
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fabbricante
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MOSFET N-CH 20V 2.1A MICROFOOT
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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Specifiche per SI8810EDB-T2-E1
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
SI8810EDB-T2-E1
fabbricante :
Vishay Siliconix
Descrizione :
MOSFET N-CH 20V 2.1A MICROFOOT
Serie :
TrenchFET®
Stato parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
-
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :
1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
72 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
900mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
8nC @ 8V
Vgs (massimo) :
±8V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
245pF @ 10V
Caratteristica FET :
-
Dissipazione di potenza (max) :
500mW (Ta)
temperatura di esercizio :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore :
4-Microfoot
Pacchetto / caso :
4-XFBGA
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per SI8810EDB-T2-E1
Schede tecniche :
SI8810EDB-T2-E1.pdf
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