IPN70R600P7SATMA1 - MOSFET N-CH 700V 8.5A SOT223

codice articolo del costruttore

IPN70R600P7SATMA1

Numero parte interna

AX-IPN70R600P7SATMA1

fabbricante

Infineon Technologies

Breve descrizione

MOSFET N-CH 700V 8.5A SOT223

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

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1-2 giorni

quantità disponibile

1474675 Pieces

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Specifiche per IPN70R600P7SATMA1

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : IPN70R600P7SATMA1

fabbricante : Infineon Technologies

Descrizione : MOSFET N-CH 700V 8.5A SOT223

Serie : CoolMOS™ P7

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 700V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 8.5A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 600 mOhm @ 1.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 90µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 10.5nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±16V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 364pF @ 400V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 6.9W (Tc)

temperatura di esercizio : -40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : PG-SOT223

Pacchetto / caso : TO-261-3

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : IPN70 , IPN70R60

Documenti per IPN70R600P7SATMA1

Schede tecniche : IPN70R600P7SATMA1.pdf

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