TPN1R603PL,L1Q - X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

codice articolo del costruttore

TPN1R603PL,L1Q

Numero parte interna

AX-TPN1R603PL,L1Q

fabbricante

Toshiba Semiconductor and Storage

Breve descrizione

X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

888305 Pieces

Prezzo di riferimento

~~USD 0.31584~~

Il nostro prezzo

- (Vi preghiamo di contattarci per un prezzo migliore: [email protected])

AX Semiconductor ha TPN1R603PL,L1Q in magazzino per la vendita. Possiamo spedire entro 1-2 giorni. Vi preghiamo di contattarci per un prezzo migliore per TPN1R603PL,L1Q. La nostra email: [email protected]

Opzioni di spedizione e tempi di spedizione:: DHL: 2-3 days.; FEDEX: 2-3 days.; UPS: 2-4 days.; TNT: 3-5 days.; EMS: 5-8 days.; Normal Post: 10-15 days.

Opzioni di pagamento:: Paypal (Credit Card); Bank Transfer (Wire Transfer); Western Union; MoneyGram

Specifiche per TPN1R603PL,L1Q

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : TPN1R603PL,L1Q

fabbricante : Toshiba Semiconductor and Storage

Descrizione : X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

Serie : U-MOSIX-H

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 80A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.6 mOhm @ 40A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.1V @ 300µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 41nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 3900pF @ 15V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 104W (Tc)

temperatura di esercizio : 175°C

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : 8-TSON Advance (3.3x3.3)

Pacchetto / caso : 8-PowerVDFN

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : TPN1 , TPN1R60

Documenti per TPN1R603PL,L1Q

Schede tecniche : TPN1R603PL,L1Q.pdf

Prodotti correlati per TPN1R603PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage

Numero parte	Marca	Descrizione
C0805C154KMREC	KEMET	CAP CER 0805 150NF 63V X7R 10.
PZ0140WL10136CB1	Vishay Beyschlag	CAP CER 100PF 16KV DISK.
WF135285WP50233BJ2	Vishay Beyschlag	CAP CER 5000PF 20KV SCREW.
PEF220WH10336BK1	Vishay Beyschlag	CAP CER 10000PF 13KV R230 DISK.
WF125300WJ76238BJ2	Vishay Beyschlag	CAP CER 7600PF 14KV SCREW.
WI140266WJ10336BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 10000PF 14KV SCREW.
WF095220WF50238BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 5000PF 12KV SCREW.
FPE210WV15236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 1500PF 30KV R85 AXIAL.
PE0200WJ12233BH1	Vishay Beyschlag	CAP CER 1200PF 14KV R42 DISK.
WF165336WQ75233BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 7500PF 22.5KV SCREW.
WF135272WL60238BJ2	Vishay Beyschlag	CAP CER 6000PF 16KV SCREW.
MC04YC223KAA	AVX Corporation	CAP CER 0.022UF 16V X7R AXIAL.
WI085260WJ47238BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 4700PF 14KV SCREW.
WF165270WL76238BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 7600PF 16KV SCREW.
WF135373BQ50238BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 5000PF 25KV SCREW.
WF165335WL10336BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 10000PF 16KV SCREW.
CDR33BP302AJWSAB	Vishay Vitramon	CAP CER 3000PF 50V BP 1210.
WF135272WL60238BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 6000PF 16KV SCREW.
WF135242BQ25236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 2500PF 25KV SCREW.
CDR32BP102BJZRAC	Vishay Vitramon	CAP CER 1000PF 100V BP 1206.