TPN1R603PL,L1Q - X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
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fabbricante
Breve descrizione
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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1-2 giorni
quantità disponibile
888305 Pieces
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Specifiche per TPN1R603PL,L1Q
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
TPN1R603PL,L1Q
fabbricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione :
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Serie :
U-MOSIX-H
Stato parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
80A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.6 mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.1V @ 300µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
41nC @ 10V
Vgs (massimo) :
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
3900pF @ 15V
Caratteristica FET :
-
Dissipazione di potenza (max) :
104W (Tc)
temperatura di esercizio :
175°C
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore :
8-TSON Advance (3.3x3.3)
Pacchetto / caso :
8-PowerVDFN
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per TPN1R603PL,L1Q
Schede tecniche :
TPN1R603PL,L1Q.pdf
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