STWA50N65DM2AG - POWER TRANSISTORS
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
POWER TRANSISTORS
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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1-2 giorni
quantità disponibile
91410 Pieces
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Specifiche per STWA50N65DM2AG
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
STWA50N65DM2AG
fabbricante :
STMicroelectronics
Descrizione :
POWER TRANSISTORS
Serie :
Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ DM2
Stato parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
38A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
87 mOhm @ 19A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
69nC @ 10V
Vgs (massimo) :
±25V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
3200pF @ 100V
Caratteristica FET :
-
Dissipazione di potenza (max) :
300W (Tc)
temperatura di esercizio :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore :
TO-247
Pacchetto / caso :
TO-247-3
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per STWA50N65DM2AG
Schede tecniche :
STWA50N65DM2AG.pdf
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