DMN2005UFG-7 - MOSFET N-CH 20V 18.1A POWERDI-8
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-DMN2005UFG-7
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 20V 18.1A POWERDI-8
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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1-2 giorni
quantità disponibile
1704600 Pieces
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Specifiche per DMN2005UFG-7
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
DMN2005UFG-7
fabbricante :
Diodes Incorporated
Descrizione :
MOSFET N-CH 20V 18.1A POWERDI-8
Serie :
-
Stato parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
18.1A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4.6 mOhm @ 13.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
164nC @ 10V
Vgs (massimo) :
±12V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
6495pF @ 10V
Caratteristica FET :
-
Dissipazione di potenza (max) :
1.05W (Ta)
temperatura di esercizio :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore :
PowerDI3333-8
Pacchetto / caso :
8-PowerWDFN
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per DMN2005UFG-7
Schede tecniche :
DMN2005UFG-7.pdf
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