TK31V60W5,LVQ - MOSFET N -CH 600V 30.8A DFN
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Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N -CH 600V 30.8A DFN
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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1-2 giorni
quantità disponibile
237720 Pieces
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Specifiche per TK31V60W5,LVQ
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
TK31V60W5,LVQ
fabbricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione :
MOSFET N -CH 600V 30.8A DFN
Serie :
DTMOSIV
Stato parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
30.8A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
109 mOhm @ 15.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 1.5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
105nC @ 10V
Vgs (massimo) :
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
3000pF @ 300V
Caratteristica FET :
-
Dissipazione di potenza (max) :
240W (Tc)
temperatura di esercizio :
150°C (TA)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore :
4-DFN-EP (8x8)
Pacchetto / caso :
4-VSFN Exposed Pad
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per TK31V60W5,LVQ
Schede tecniche :
TK31V60W5,LVQ.pdf
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