IRF60B217 - MOSFET N-CH 60V 60A

codice articolo del costruttore

IRF60B217

Numero parte interna

AX-IRF60B217

fabbricante

Infineon Technologies

Breve descrizione

MOSFET N-CH 60V 60A

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

271855 Pieces

Prezzo di riferimento

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Specifiche per IRF60B217

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : IRF60B217

fabbricante : Infineon Technologies

Descrizione : MOSFET N-CH 60V 60A

Serie : StrongIRFET™

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 60A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 9 mOhm @ 36A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.7V @ 50µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 66nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 2230pF @ 25V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 83W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio : Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore : TO-220AB

Pacchetto / caso : TO-220-3

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : IRF , IRF6

Documenti per IRF60B217

Schede tecniche : IRF60B217.pdf

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