1N5618US - DIODE GEN PURP 600V 1A D5A

codice articolo del costruttore

1N5618US

Numero parte interna

AX-1N5618US

fabbricante

Microsemi Corporation

Breve descrizione

DIODE GEN PURP 600V 1A D5A

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

55830 Pieces

Prezzo di riferimento

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Specifiche per 1N5618US

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : 1N5618US

fabbricante : Microsemi Corporation

Descrizione : DIODE GEN PURP 600V 1A D5A

Serie : -

Stato parte : Active

Diodo : Standard

Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) : 600V

Corrente: media rettificata (Io) : 1A

Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If : 1.3V @ 3A

Velocità : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr) : 2µs

Corrente - Perdita inversa @ Vr : 500nA @ 600V

Capacità @ Vr, F : -

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : SQ-MELF, A

Pacchetto dispositivo fornitore : D-5A

Temperatura operativa - Giunzione : -65°C ~ 200°C

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : 1N , 1N56

Documenti per 1N5618US

Schede tecniche : 1N5618US.pdf

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