IPI032N06N3GAKSA1 - MOSFET N-CH 60V 120A

codice articolo del costruttore

IPI032N06N3GAKSA1

Numero parte interna

AX-IPI032N06N3GAKSA1

fabbricante

Infineon Technologies

Breve descrizione

MOSFET N-CH 60V 120A

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

152805 Pieces

Prezzo di riferimento

~~USD 1.836~~

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Specifiche per IPI032N06N3GAKSA1

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : IPI032N06N3GAKSA1

fabbricante : Infineon Technologies

Descrizione : MOSFET N-CH 60V 120A

Serie : OptiMOS™

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 120A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.2 mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 118µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 165nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 13000pF @ 30V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 188W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio : Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore : PG-TO262-3

Pacchetto / caso : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : IPI03 , IPI032N0

Documenti per IPI032N06N3GAKSA1

Schede tecniche : IPI032N06N3GAKSA1.pdf

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