PMDT290UNE,115 - MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SOT666
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Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SOT666
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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1-2 giorni
quantità disponibile
3766460 Pieces
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Specifiche per PMDT290UNE,115
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
PMDT290UNE,115
fabbricante :
Nexperia USA Inc.
Descrizione :
MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SOT666
Serie :
Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
Stato parte :
Active
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET :
Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) :
20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
800mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
380 mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
950mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
0.68nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
83pF @ 10V
Potenza - Max :
500mW
temperatura di esercizio :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto / caso :
SOT-563, SOT-666
Pacchetto dispositivo fornitore :
SOT-666
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per PMDT290UNE,115
Schede tecniche :
PMDT290UNE,115.pdf
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