STP25N60M2-EP - MOSFET N-CH 600V 18A EP TO220AB

codice articolo del costruttore

STP25N60M2-EP

Numero parte interna

AX-STP25N60M2-EP

fabbricante

STMicroelectronics

Breve descrizione

MOSFET N-CH 600V 18A EP TO220AB

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

96605 Pieces

Prezzo di riferimento

~~USD 2.904~~

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Specifiche per STP25N60M2-EP

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : STP25N60M2-EP

fabbricante : STMicroelectronics

Descrizione : MOSFET N-CH 600V 18A EP TO220AB

Serie : MDmesh™ M2-EP

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 18A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 188 mOhm @ 9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4.75V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 29nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±25V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1090pF @ 100V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 150W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore : TO-220

Pacchetto / caso : TO-220-3

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : STP2 , STP25N

Documenti per STP25N60M2-EP

Schede tecniche : STP25N60M2-EP.pdf

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