SIZ900DT-T1-GE3 - MOSFET 2N-CH 30V 24A POWERPAIR
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fabbricante
Breve descrizione
MOSFET 2N-CH 30V 24A POWERPAIR
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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Specifiche per SIZ900DT-T1-GE3
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : SIZ900DT-T1-GE3
fabbricante : Vishay Siliconix
Descrizione : MOSFET 2N-CH 30V 24A POWERPAIR
Serie : TrenchFET®
Stato parte : Obsolete
Tipo FET : 2 N-Channel (Half Bridge)
Caratteristica FET : Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 24A, 28A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7.2 mOhm @ 19.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 45nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1830pF @ 15V
Potenza - Max : 48W, 100W
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto / caso : 6-PowerPair™
Pacchetto dispositivo fornitore : 6-PowerPair™
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Documenti per SIZ900DT-T1-GE3
Schede tecniche : SIZ900DT-T1-GE3.pdf
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