AOV11S60 - MOSFET N-CH 600V 0.65A 5-DFN

codice articolo del costruttore

AOV11S60

Numero parte interna

AX-AOV11S60

fabbricante

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Breve descrizione

MOSFET N-CH 600V 0.65A 5-DFN

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

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1-2 giorni

quantità disponibile

388210 Pieces

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Specifiche per AOV11S60

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : AOV11S60

fabbricante : Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Descrizione : MOSFET N-CH 600V 0.65A 5-DFN

Serie : aMOS™

Stato parte : Not For New Designs

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 650mA (Ta), 8A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 500 mOhm @ 3.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4.1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 11nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 545pF @ 100V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 8.3W (Ta), 156W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : 4-DFN-EP (8x8)

Pacchetto / caso : 4-PowerTSFN

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

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Documenti per AOV11S60

Schede tecniche : AOV11S60.pdf

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