CSD17581Q3AT - 30V N-CHANNEL NEXFET POWER MOSFE
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-CSD17581Q3AT
fabbricante
Breve descrizione
30V N-CHANNEL NEXFET POWER MOSFE
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
849570 Pieces
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Specifiche per CSD17581Q3AT
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
CSD17581Q3AT
fabbricante :
Texas Instruments
Descrizione :
30V N-CHANNEL NEXFET POWER MOSFE
Serie :
NexFET™
Stato parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
60A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3.8 mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.7V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
54nC @ 10V
Vgs (massimo) :
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
3640pF @ 15V
Caratteristica FET :
-
Dissipazione di potenza (max) :
2.8W (Ta), 63W (Tc)
temperatura di esercizio :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore :
8-VSONP (3x3.15)
Pacchetto / caso :
8-PowerVDFN
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per CSD17581Q3AT
Schede tecniche :
CSD17581Q3AT.pdf
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