CSD17581Q3AT - 30V N-CHANNEL NEXFET POWER MOSFE

codice articolo del costruttore

CSD17581Q3AT

Numero parte interna

AX-CSD17581Q3AT

fabbricante

Texas Instruments

Breve descrizione

30V N-CHANNEL NEXFET POWER MOSFE

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

849570 Pieces

Prezzo di riferimento

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Specifiche per CSD17581Q3AT

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : CSD17581Q3AT

fabbricante : Texas Instruments

Descrizione : 30V N-CHANNEL NEXFET POWER MOSFE

Serie : NexFET™

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 60A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.8 mOhm @ 16A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.7V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 54nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 3640pF @ 15V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 2.8W (Ta), 63W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : 8-VSONP (3x3.15)

Pacchetto / caso : 8-PowerVDFN

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

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Documenti per CSD17581Q3AT

Schede tecniche : CSD17581Q3AT.pdf

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