ALD1108EPCL - MOSFET 4N-CH 10V 16DIP

codice articolo del costruttore
Numero parte interna
Breve descrizione
MOSFET 4N-CH 10V 16DIP
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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Specifiche per ALD1108EPCL

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : ALD1108EPCL
fabbricante : Advanced Linear Devices Inc.
Descrizione : MOSFET 4N-CH 10V 16DIP
Serie : EPAD®
Stato parte : Active
Tipo FET : 4 N-Channel, Matched Pair
Caratteristica FET : Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) : 10V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : -
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 500 Ohm @ 5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.01V @ 1µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 25pF @ 5V
Potenza - Max : 600mW
temperatura di esercizio : 0°C ~ 70°C (TJ)
Tipo di montaggio : Through Hole
Pacchetto / caso : 16-DIP (0.300", 7.62mm)
Pacchetto dispositivo fornitore : 16-PDIP
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Link correlati : ALD , ALD11

Documenti per ALD1108EPCL

Schede tecniche : ALD1108EPCL.pdf

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