IRF7815PBF - MOSFET N-CH 150V 5.1A 8-SOIC

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MOSFET N-CH 150V 5.1A 8-SOIC
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Specifiche per IRF7815PBF

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : IRF7815PBF
fabbricante : Infineon Technologies
Descrizione : MOSFET N-CH 150V 5.1A 8-SOIC
Serie : HEXFET®
Stato parte : Discontinued at Digi-Key
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 150V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 5.1A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 43 mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 38nC @ 10V
Vgs (massimo) : ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1647pF @ 75V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 2.5W (Ta)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : 8-SO
Pacchetto / caso : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Link correlati : IRF , IRF78

Documenti per IRF7815PBF

Schede tecniche : IRF7815PBF.pdf

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