STL17N65M5 - MOSFET N-CH 650V 1.8A POWERFLAT
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-STL17N65M5
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 650V 1.8A POWERFLAT
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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1-2 giorni
quantità disponibile
241580 Pieces
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Specifiche per STL17N65M5
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
STL17N65M5
fabbricante :
STMicroelectronics
Descrizione :
MOSFET N-CH 650V 1.8A POWERFLAT
Serie :
MDmesh™ V
Stato parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
1.8A (Ta), 10A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
374 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
22nC @ 10V
Vgs (massimo) :
±25V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
816pF @ 100V
Caratteristica FET :
-
Dissipazione di potenza (max) :
2.8W (Ta), 70W (Tc)
temperatura di esercizio :
150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore :
PowerFlat™ (8x8) HV
Pacchetto / caso :
8-PowerVDFN
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per STL17N65M5
Schede tecniche :
STL17N65M5.pdf
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CAP CER 3000PF 50V BP 1210. |
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CAP CER 7500PF 22.5KV SCREW. |
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CAP CER 10000PF 100V BP 1825. |
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