IRFHM8235TRPBF - MOSFET N-CH 25V 16A 8PQFN
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Breve descrizione
MOSFET N-CH 25V 16A 8PQFN
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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Specifiche per IRFHM8235TRPBF
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : IRFHM8235TRPBF
fabbricante : Infineon Technologies
Descrizione : MOSFET N-CH 25V 16A 8PQFN
Serie : HEXFET®
Stato parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 25V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 16A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7.7 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.35V @ 25µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 12nC @ 4.5V
Vgs (massimo) : ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1040pF @ 10V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 3W (Ta), 30W (Tc)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Pacchetto / caso : 8-PowerTDFN
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Documenti per IRFHM8235TRPBF
Schede tecniche : IRFHM8235TRPBF.pdf
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