TC58BVG1S3HBAI6 - IC FLASH 2G PARALLEL 67VFBGA
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
IC FLASH 2G PARALLEL 67VFBGA
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
131615 Pieces
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Specifiche per TC58BVG1S3HBAI6
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
TC58BVG1S3HBAI6
fabbricante :
Toshiba Memory America, Inc.
Descrizione :
IC FLASH 2G PARALLEL 67VFBGA
Serie :
Benand™
Stato parte :
Active
Tipo di memoria :
Non-Volatile
Formato di memoria :
FLASH
Tecnologia :
FLASH - NAND (SLC)
Dimensione della memoria :
2Gb (256M x 8)
Frequenza di clock :
-
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina :
25ns
Tempo di accesso :
25ns
Interfaccia di memoria :
Parallel
Tensione - Fornitura :
2.7V ~ 3.6V
temperatura di esercizio :
-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto / caso :
67-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore :
67-VFBGA (6.5x8)
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per TC58BVG1S3HBAI6
Schede tecniche :
TC58BVG1S3HBAI6.pdf
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