K4B4G1646E-BYMA - 4 Gb 512M x 8 1866 Mbps 1.35 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production
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4 Gb 512M x 8 1866 Mbps 1.35 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production
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Specifiche per K4B4G1646E-BYMA
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : K4B4G1646E-BYMA
fabbricante : Samsung Semiconductor
Descrizione : 4 Gb 512M x 8 1866 Mbps 1.35 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production
Serie : DDR3
Densità : 4 Gb
Org. : 512M x 8
Velocità : 1866 Mbps
Voltaggio : 1.35 V
Temp. : 0 ~ 85 °C
Pacchetto : 96FBGA
Stato prodotto : Mass Production
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Documenti per K4B4G1646E-BYMA
Schede tecniche : K4B4G1646E-BYMA.pdf
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