RJK60S7DPK-M0#T0 - MOSFET N-CH 600V 30A TO-3PSG

codice articolo del costruttore

RJK60S7DPK-M0#T0

Numero parte interna

AX-RJK60S7DPK-M0#T0

fabbricante

Renesas Electronics America

Breve descrizione

MOSFET N-CH 600V 30A TO-3PSG

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

66795 Pieces

Prezzo di riferimento

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Specifiche per RJK60S7DPK-M0#T0

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : RJK60S7DPK-M0#T0

fabbricante : Renesas Electronics America

Descrizione : MOSFET N-CH 600V 30A TO-3PSG

Serie : -

Stato parte : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 30A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 125 mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : -

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 39nC @ 10V

Vgs (massimo) : +30V, -20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 2300pF @ 25V

Caratteristica FET : Super Junction

Dissipazione di potenza (max) : 227.2W (Tc)

temperatura di esercizio : 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore : TO-3PSG

Pacchetto / caso : TO-3P-3, SC-65-3

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

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Documenti per RJK60S7DPK-M0#T0

Schede tecniche : RJK60S7DPK-M0#T0.pdf

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