FDP2D3N10C - MOSFET N-CH 100V 222A TO220-3

codice articolo del costruttore

FDP2D3N10C

Numero parte interna

AX-FDP2D3N10C

fabbricante

ON Semiconductor

Breve descrizione

MOSFET N-CH 100V 222A TO220-3

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

128295 Pieces

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Specifiche per FDP2D3N10C

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : FDP2D3N10C

fabbricante : ON Semiconductor

Descrizione : MOSFET N-CH 100V 222A TO220-3

Serie : PowerTrench®

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 222A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.3 mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 700µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 152nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 11180pF @ 50V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 214W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio : Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore : TO-220-3

Pacchetto / caso : TO-220-3

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : FDP , FDP2D

Documenti per FDP2D3N10C

Schede tecniche : FDP2D3N10C.pdf

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