CSD19532Q5BT - MOSFET N-CH 100V 100A VSON
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-CSD19532Q5BT
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 100V 100A VSON
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
271225 Pieces
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Specifiche per CSD19532Q5BT
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
CSD19532Q5BT
fabbricante :
Texas Instruments
Descrizione :
MOSFET N-CH 100V 100A VSON
Serie :
NexFET™
Stato parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
100A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4.9 mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
62nC @ 10V
Vgs (massimo) :
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
4810pF @ 50V
Caratteristica FET :
-
Dissipazione di potenza (max) :
3.1W (Ta), 195W (Tc)
temperatura di esercizio :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore :
8-VSON-CLIP (5x6)
Pacchetto / caso :
8-PowerTDFN
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per CSD19532Q5BT
Schede tecniche :
CSD19532Q5BT.pdf
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