SI7925DN-T1-GE3 - MOSFET 2P-CH 12V 4.8A 1212-8

codice articolo del costruttore

SI7925DN-T1-GE3

Numero parte interna

AX-SI7925DN-T1-GE3

fabbricante

Vishay Siliconix

Breve descrizione

MOSFET 2P-CH 12V 4.8A 1212-8

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

27916 Pieces

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Specifiche per SI7925DN-T1-GE3

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : SI7925DN-T1-GE3

fabbricante : Vishay Siliconix

Descrizione : MOSFET 2P-CH 12V 4.8A 1212-8

Serie : TrenchFET®

Stato parte : Obsolete

Tipo FET : 2 P-Channel (Dual)

Caratteristica FET : Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss) : 12V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 4.8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 42 mOhm @ 6.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 12nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : -

Potenza - Max : 1.3W

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : PowerPAK® 1212-8 Dual

Pacchetto dispositivo fornitore : PowerPAK® 1212-8 Dual

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : SI792 , SI7925D

Documenti per SI7925DN-T1-GE3

Schede tecniche : SI7925DN-T1-GE3.pdf

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