IPD50N06S4L08ATMA2 - MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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1-2 giorni
quantità disponibile
1132135 Pieces
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Specifiche per IPD50N06S4L08ATMA2
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
IPD50N06S4L08ATMA2
fabbricante :
Infineon Technologies
Descrizione :
MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
Serie :
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Stato parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
50A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
7.8 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.2V @ 35µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
64nC @ 10V
Vgs (massimo) :
±16V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
4780pF @ 25V
Caratteristica FET :
-
Dissipazione di potenza (max) :
71W (Tc)
temperatura di esercizio :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore :
PG-TO252-3-11
Pacchetto / caso :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per IPD50N06S4L08ATMA2
Schede tecniche :
IPD50N06S4L08ATMA2.pdf
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