ZXM66P03N8TA - MOSFET P-CH 30V 7.9A 8-SOIC
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-ZXM66P03N8TA
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET P-CH 30V 7.9A 8-SOIC
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
64785 Pieces
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Specifiche per ZXM66P03N8TA
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
ZXM66P03N8TA
fabbricante :
Diodes Incorporated
Descrizione :
MOSFET P-CH 30V 7.9A 8-SOIC
Serie :
-
Stato parte :
Obsolete
Tipo FET :
P-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
6.25A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
25 mOhm @ 5.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
36nC @ 5V
Vgs (massimo) :
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
1979pF @ 25V
Caratteristica FET :
-
Dissipazione di potenza (max) :
1.56W (Ta)
temperatura di esercizio :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore :
8-SO
Pacchetto / caso :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per ZXM66P03N8TA
Schede tecniche :
ZXM66P03N8TA.pdf
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