TK7J90E,S1E - MOSFET N-CH 900V TO-3PN

codice articolo del costruttore

TK7J90E,S1E

Numero parte interna

AX-TK7J90E,S1E

fabbricante

Toshiba Semiconductor and Storage

Breve descrizione

MOSFET N-CH 900V TO-3PN

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

173180 Pieces

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Specifiche per TK7J90E,S1E

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : TK7J90E,S1E

fabbricante : Toshiba Semiconductor and Storage

Descrizione : MOSFET N-CH 900V TO-3PN

Serie : π-MOSVIII

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 900V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 7A (Ta)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2 Ohm @ 3.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 700µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 32nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1350pF @ 25V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 200W (Tc)

temperatura di esercizio : 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore : TO-3P(N)

Pacchetto / caso : TO-3P-3, SC-65-3

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

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Documenti per TK7J90E,S1E

Schede tecniche : TK7J90E,S1E.pdf

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