IPAN60R650CEXKSA1 - MOSFET NCH 600V 9.9A TO220

codice articolo del costruttore

IPAN60R650CEXKSA1

Numero parte interna

AX-IPAN60R650CEXKSA1

fabbricante

Infineon Technologies

Breve descrizione

MOSFET NCH 600V 9.9A TO220

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

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1-2 giorni

quantità disponibile

671765 Pieces

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Specifiche per IPAN60R650CEXKSA1

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : IPAN60R650CEXKSA1

fabbricante : Infineon Technologies

Descrizione : MOSFET NCH 600V 9.9A TO220

Serie : CoolMOS™

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 9.9A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 650 mOhm @ 2.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 200µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 20.5nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 440pF @ 100V

Caratteristica FET : Super Junction

Dissipazione di potenza (max) : 28W (Tc)

temperatura di esercizio : -40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore : PG-TO220 Full Pack

Pacchetto / caso : TO-220-3 Full Pack

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : IPAN6 , IPAN60R6

Documenti per IPAN60R650CEXKSA1

Schede tecniche : IPAN60R650CEXKSA1.pdf

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